一、升降压芯片和降压芯片的设计原理
升降压芯片和降压芯片是电子电路中常见的两种电源管理芯片。它们的设计原理基于电子元件的基本特性和电路的工作原理。
升降压芯片,也称为升降压转换器或升降压电源,是一种能够同时实现升压和降压功能的电源管理芯片。它通过改变输入电压的极性,实现输出电压的升高或降低。升降压芯片的设计原理主要基于开关电源技术,通过控制开关管的导通和截止,实现输入电压的斩波和滤波,从而得到所需的输出电压。
降压芯片,也称为降压转换器或降压电源,是一种将输入电压降低到所需输出电压的电源管理芯片。它的设计原理主要基于线性稳压技术或开关电源技术。线性稳压技术通过调整电阻和稳压管的参数,使输出电压保持稳定;而开关电源技术则通过控制开关管的导通和截止,实现输入电压的斩波和滤波,从而得到所需的输出电压。
二、升降压和降压芯片的适用范围
升降压芯片和降压芯片各有其适用范围。升降压芯片适用于需要同时实现升压和降压功能的场景,如电池供电的便携式设备、太阳能电池板供电系统等。它可以在输入电压波动较大的情况下,保持输出电压的稳定。
降压芯片则适用于将较高电压降低到较低电压的场景,如将市电220V降低到电子设备所需的5V、3.3V等。它在各种电子设备中都有广泛应用,如计算机、手机、平板等。
三、升降压和降压芯片的应用场景
升降压芯片和降压芯片在电子电路中有许多应用场景。以下是它们的一些典型应用:
1. 电池供电设备:升降压芯片可用于将电池电压转换为所需的稳定电压,以满足设备的工作需求。例如,在智能手机中,升降压芯片可以将锂电池的3.7V电压转换为设备所需的各个电压等级。
2. 太阳能电池板供电系统:升降压芯片可用于将太阳能电池板产生的电压转换为稳定的输出电压,以供系统使用。由于太阳能电池板的输出电压受光照条件影响,升降压芯片能够在光照条件变化时保持输出电压的稳定。
3. LED照明:降压芯片常用于LED照明领域,将较高的市电电压降低为LED所需的稳定电压。例如,在家居照明中,降压芯片可以将220V市电降低为LED灯所需的12V或24V电压。
四、升降压和降压芯片的优缺点
升降压芯片和降压芯片各有其优缺点。以下是它们的一些主要特点:
升降压芯片的优点:
1. 同时实现升压和降压功能,适用于输入电压波动较大的场景。
2. 可以通过改变输入电压的极性实现输出电压的升高或降低,灵活性较高。
升降压芯片的缺点:
1. 由于需要实现升降压功能,电路结构相对复杂,成本较高。
2. 效率相对较低,因为升降压过程中会有一定的能量损失。
降压芯片的优点:
1. 电路结构简单,成本较低。
2. 效率较高,能量损失较小。
降压芯片的缺点:
1. 只能实现降压功能,适用范围相对较窄。
2. 在输入电压波动较大的情况下,可能无法保证输出电压的稳定。
综上所述,升降压芯片和降压芯片各有其设计原理、适用范围、应用场景和优缺点。在选择使用时,需要根据具体的应用需求和场景来综合考虑。
DC-DC 降压恒压系列 | ||||||||||
型号 | 封装 | 输入电压范围 | 输出电压范围 | 输出电流范围 | 输出功率范围 | 驱动方式 | 效率 | 工作模式/频率 | 工作架构 | 静态电流 |
OC5801L | SOP8 | 8~150V | ≤Vi-4V | ≤10A | 120W | 外置MOS | 最大96% | 固定频率140K | 浮地架构 | 低至700uA |
OC5806L | ESOP8 | 8~150V | ≤Vi-4V | ≤1.5A | 15W | 内置MOS | 最大95% | 固定频率140K | 浮地架构 | 低至700uA |
OC5800L | ESOP8 | 8~100V | ≤Vi-4V | ≤2A | 20W | 内置MOS | 最大95% | 固定频率140K | 浮地架构 | 低至700uA |
OC5802L | ESOP8 | 8~60V | ≤Vi-4V | ≤3A | 25W | 内置MOS | 最大95% | 固定频率140K | 浮地架构 | 低至700uA |
OC5808L | ESOP8 | 8~100V | ≤Vi-4V | ≤1.5A | 15W | 内置MOS | 最大95% | 固定频率140K | 浮地架构 | 低至700uA |
OC5862 | ESOP8 | 5.5~60V | ≤Vi-2V | ≤0.8A | 14W | 内置MOS | 最大93% | 可调频率最大1MHZ | 实地架构 | 低至460uA |
OC5864 | SOT23-6 | 5.5~60V | ≤Vi-2V | ≤0.6A | 12W | 内置MOS | 最大93% | 固定频率500KHZ | 实地架构 | 低至460uA |
OC5823 | SOP8 | 5.5~60V | ≤Vi-1V | ≤5A | 40W | 外置MOS | 最大95% | 可调频率/默认140K | 实地架构 | 低至220uA |
OC5818 | SOP8 | 5.5~30V | ≤Vi-1V | ≤2.5A | 30W | 内置MOS | 最大94% | 可调频率/默认140K | 实地架构 | 低至220uA |
OC5820 | SOP8 | 5.5~40V | ≤Vi-1V | ≤2.5A | 30W | 内置MOS | 最大94% | 可调频率/默认140K | 实地架构 | 低至220uA |
OC5822 | SOP8 | 5.5~60V | ≤Vi-1V | ≤1.5A | 18W | 内置MOS | 最大94% | 可调频率/默认140K | 实地架构 | 低至220uA |
OC5816 | SOT23-6 | 3.5~18V | ≤Vi-0.6V | ≤2.0A | 12W | 内置MOS | 最大97% | 固定频率600K | 实地架构 | 低至260uA |
DC-DC 升压恒压系列 | ||||||||||
型号 | 封装 | 输入电压范围 | 输出电压范围 | 输入电流范围 | 输出功率范围 | 驱动方式 | 效率 | 工作模式/频率 | 反馈电压 | 静态电流 |
OC6801B | SOP8 | 5~400V | ≥Vi+1V | ≤8A | 80W | 外置MOS | 最大95% | 固定频率/频率可调 | 1V | 低至75uA |
OC6800B | ESOP8 | 5~100V | ≥Vi+1V | ≤2.5A | 20W | 内置MOS | 最大95% | 固定频率/频率可调 | 1V | 低至75uA |
OC6820 | SOT23-6 | 2.3-18V | ≥Vi+1V | ≤4A | 20W | 内置MOS | 最大96% | 固定频率1.2M | 1V | 低至75uA |
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